Negative-bias temperature instability

相关论文数: 1

顶级研究者

Akinori Takeyama

研究机构: —

Takahiro Makino

研究机构: —

Shuichi Okubo

研究机构: —

Yūki Tanaka

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Toru Yoshie

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Yasuto Hijikata

研究机构: —

Takeshi Ohshima

研究机构: —

最高引用论文

Radiation Response of Negative Gate Biased SiC MOSFETs

Akinori Takeyama, Takahiro Makino, Shuichi Okubo, Yūki Tanaka, Toru Yoshie, Yasuto Hijikata, Takeshi Ohshima

引用数: 19 • 2019

相关技术

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