Sanken Electric (Japan)

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论文数

3

总引用数

24

H-Index

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研究人员

8

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研究焦点

Engineering2 · 21 次引用
Electrical engineering2 · 21 次引用
Physics2 · 21 次引用
Voltage2 · 21 次引用
Materials science2 · 21 次引用
MOSFET1 · 19 次引用
Optoelectronics1 · 19 次引用
Gate oxide1 · 19 次引用
Negative-bias temperature instability1 · 19 次引用
Optics1 · 19 次引用

主要成就

2
H 指数
3
论文
24
总引用数
8
教职员与研究人员
🏆 最高被引论文
Radiation Response of Negative Gate Biased SiC MOSFETs
19 次引用 · 2019
📊 篇均引用: 8
📈 最高产年份: 2019 (1)
🔬 研究焦点: Engineering, Electrical engineering, Physics, Voltage, Materials science, MOSFET

代表论文

  1. 1
    Radiation Response of Negative Gate Biased SiC MOSFETs
    19 次引用 · 2019
  2. 2
    Design Guidelines for Developing Systems for Dialogue System Competitions
    3 次引用 · 2022
  3. 3
    Ripple Reduction and Efficiency Improvement of Always-Dual-Path Hybrid DC-DC Converter Based on Phase Shift Operation
    2 次引用 · 2025

教职员与研究人员

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尚未生成